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薄田 学; 浜田 典昭*; 白石 賢二*; 押山 淳*
Japanese Journal of Applied Physics, Part 2, 43(3B), p.L407 - L410, 2004/03
被引用回数:31 パーセンタイル:71.96(Physics, Applied)ウルツァイト型InN及びGaInNのバンド構造を、近似に基づく全電子FLAPW計算法を用いて計算した。InNのバンドギャップは1eV以下と求まり、最近報告された実験値を支持する結果となった。